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退火溫度和時間對制備多晶硅薄膜的影響

退火溫度和時間對制備多晶硅薄膜的影響

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級別:| 積分:0 分 | 瀏覽:80404 | 大。238.50KB | 下載:4442 次 | 上傳:2013-10-22

簡介:

通過PECVD法于不同溫度直接沉積非晶硅(a-Si∶H)薄膜,選擇于850℃分別退火2h、3h、6h、8h,于700℃分別退火5h、7h、10h、13h,于900℃分別退火1h、3h、8h,分別于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光譜和SEM進行對比分析,發(fā)現(xiàn)退火溫度與退火時間的影響是相互關(guān)聯(lián)的,并且出現(xiàn)一系列晶化效果好的極值點。

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